供应 场效应管 2SK3305 K3305 2SK3325 K3325
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3325 | |
| 品牌/商标： | NEC | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
2SK3325,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,10A,0.85Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管
应用:
* 开关
* 工业用
特点:
* 低栅极电荷：QG =22 nC的TYP。 （VDD= 400 V，VGS= 10V，ID =10 A）
* 门额定电压：±30 V
* 低通态电阻: RDS（ON）=0.85 W MAX。 （VGS =10 V，ID =5.0 A）
* 雪崩能力评级
* TO-220AB，TO-262，TO-263封装
产品型号:2SK3325
封装:TO-220
品牌：RENESAS/瑞萨
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):85
输入电容Ciss(PF):1200 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.0
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):10.7
导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.
上升时间Tr(ns):11 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.
下降时间Tf(ns):9.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3325 500V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK4070 K4070
信息内容：2SK4070,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1A,11Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管 应用: * 开关 特点: * 低栅极电荷：QG = 5 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 1.0 A) * 门额定电压：±30 V * 低通态电阻: RDS(on) = 11 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 0.5 A) * 雪崩能力评级 产品型号:2SK4070 封装:TO-251 品牌：NEC 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3.5 功率PD(W):22 输入电容Ciss(PF):110 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):38.4 导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ. 上升时间Tr(ns):6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ. 下降时间Tf(ns):18 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK4070,600V,1A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TPCA8025 TPCA8087
信息内容：产品型号:TPCA8025 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H) Applications/应用 * Lithium-Ion Battery Applications/锂离子电池应用 * Notebook PCs/笔记本电脑应用 * Portable Equipment Applications/便携式设备的应用 Features * 超薄小体积封装 * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 2.7 mΩ (typ.) * 高正向转移导纳: |Yfs| = 80S (typ.) * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * 增强模式: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 封装:PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0035 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):2200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：80 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):208 导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ. 上升时间Tr(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ. 下降时间Tf(ns):23 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPCA8025,30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管 ...
