供应 场效应管 TK4A60DB,K4A60D,TK4A60DAR
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK4A60DAR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A, | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
TK4A60DB,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,3.7A,2Ω
2SK3767,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2A,4.5Ω
2SK3567,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,3.5A,2.2Ω
2SK3562,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω
TK5A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,5A,1.43Ω
TK6A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω
TK8A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,8A,0.4Ω
TK13A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω
TK15A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω
TK4A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,0.37Ω
TK12A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω
TK15A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.37Ω
TK11A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,11A,0.65Ω
TK12A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω
TK20A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,20A,0.19Ω
TK10A60DR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,10A,
TK13A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,13A,0.38Ω
2SK3797,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω
2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω
TK4A60DAR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,
TK17A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,17A,0.26Ω
TK7A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,0.98Ω
TK6A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,6A,1.11Ω
TK8A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,8A,0.84Ω
TK3A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,3A,2.25Ω
TK3A65DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,2.5A,2.51Ω
TK13A60DR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,Ω
TK6A60DR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,Ω
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK17A65U,TK17A65,K17A65U
信息内容：产品型号:TK17A65U 1. 应用 * 开关稳压器 2. 特点 (1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 0.20 Ω (typ.) (2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 12.0 S (typ.) (3) 低漏电流: IDSS = 100uA (max) (VDS = 650 V) (4) 增强模式: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS=10V,ID=1mA) 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):17 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1450 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：12 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):186 导通延迟时间Td(on)(ns):80 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,17A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 2SK3934,2SK2188,K3934,K2188
信息内容：产品型号:2SK3934 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):3100 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1080 导通延迟时间Td(on)(ns):130 typ. 上升时间Tr(ns):70 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):280 typ. 下降时间Tf(ns):70 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,15A N-沟道增强型场效应晶体管
