供应 场效应管 2SK3934,2SK2188,K3934,K2188
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3934,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,15A,0.3Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:2SK3934
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):15
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):3100 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：8.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1080
导通延迟时间Td(on)(ns):130 typ.
上升时间Tr(ns):70 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):280 typ.
下降时间Tf(ns):70 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,15A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK3767,2SK3569,K3767,K3569
信息内容：产品型号:2SK3767 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):25 输入电容Ciss(PF):320 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):93 导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ. 上升时间Tr(ns):15 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ. 下降时间Tf(ns):20 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 TK5A60D,TK5A60,K5A60D
信息内容：产品型号:TK5A60D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):700 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):189 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ. 下降时间Tf(ns):11 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
