供应 场效应管 TK5A60D,TK5A60,K5A60D
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK5A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,5A,1.43Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK5A60D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):700 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):189
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):11 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK6A60D,K6A60D
信息内容：TK5A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,5A,1.43Ω TK6A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω TK8A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,8A,0.4Ω TK4A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,0.37Ω TK11A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,11A,0.65Ω TK12A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω TK10A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω TK10A60DR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,10A 产品型号:TK6A60D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40
供应 场效应管 TK15A60U,K15A60U,15A60
信息内容：产品型号:TK15A60U 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):2300 typ. TK4A60DB,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,3.7A,2Ω TK5A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,5A,1.43Ω TK6A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω TK8A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,8A,0.4Ω TK13A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω TK15A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω TK4A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,0.37Ω TK12A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω TK15A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.37Ω TK11A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,11A,0.65Ω
