供应 场效应管 TK15A60U,K15A60U,15A60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK15A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK15A60U
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):15
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):2300 typ.
TK4A60DB,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,3.7A,2Ω
TK5A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,5A,1.43Ω
TK6A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω
TK8A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,8A,0.4Ω
TK13A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω
TK15A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω
TK4A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,0.37Ω
TK12A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω
TK15A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.37Ω
TK11A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,11A,0.65Ω
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK8A50,TK8A50D,K8A50D
信息内容：产品型号:TK8A50D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):165 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 TK12A60U,K12A60U,TK12A60W
信息内容：产品型号:TK12A60U 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):1700 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69 导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ. 上升时间Tr(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
