供应 场效应管 TK8A50,TK8A50D,K8A50D
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK8A50D,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK8A50D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):165
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK12A60U,K12A60U,TK12A60W
信息内容：产品型号:TK12A60U 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):1700 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69 导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ. 上升时间Tr(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 TK15A60D,TK15A60,K15A60D
信息内容：产品型号:TK15A60D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.37 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):2600 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):527 导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ. 上升时间Tr(ns):50 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ. 下降时间Tf(ns):25 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,15A N-沟道增强型场效应晶体管
