供应 场效应管 TK17A65U,TK17A65,K17A65U
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK17A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,17A,0.26Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK17A65U
1. 应用
* 开关稳压器
2. 特点
(1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 0.20 Ω (typ.)
(2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 12.0 S (typ.)
(3) 低漏电流: IDSS = 100uA (max) (VDS = 650 V)
(4) 增强模式: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS=10V,ID=1mA)
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):17
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1450 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：12
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):186
导通延迟时间Td(on)(ns):80 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,17A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK3934,2SK2188,K3934,K2188
信息内容：产品型号:2SK3934 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):3100 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1080 导通延迟时间Td(on)(ns):130 typ. 上升时间Tr(ns):70 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):280 typ. 下降时间Tf(ns):70 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,15A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 2SK3767,2SK3569,K3767,K3569
信息内容：产品型号:2SK3767 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):25 输入电容Ciss(PF):320 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):93 导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ. 上升时间Tr(ns):15 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ. 下降时间Tf(ns):20 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
