供应 场效应管 2SK4070 K4070
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK4070 | |
| 品牌/商标： | NEC | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 4200/盒 |
2SK4070,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1A,11Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管
应用:
* 开关
特点:
* 低栅极电荷：QG = 5 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 1.0 A)
* 门额定电压：±30 V
* 低通态电阻: RDS(on) = 11 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 0.5 A)
* 雪崩能力评级
产品型号:2SK4070
封装:TO-251
品牌：NEC
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):22
输入电容Ciss(PF):110 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):38.4
导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ.
上升时间Tr(ns):6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.
下降时间Tf(ns):18 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4070,600V,1A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TPCA8025 TPCA8087
信息内容：产品型号:TPCA8025 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H) Applications/应用 * Lithium-Ion Battery Applications/锂离子电池应用 * Notebook PCs/笔记本电脑应用 * Portable Equipment Applications/便携式设备的应用 Features * 超薄小体积封装 * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 2.7 mΩ (typ.) * 高正向转移导纳: |Yfs| = 80S (typ.) * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * 增强模式: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 封装:PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0035 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):2200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：80 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):208 导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ. 上升时间Tr(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ. 下降时间Tf(ns):23 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPCA8025,30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管 ...
供应 场效应管 TPCA8030-H TPCA8040-H
信息内容：产品型号:TPCA8030-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) Applications/应用 * High-Efficiency DC-DC Converters Applications/高效率DC-DC转换器应用 * Notebook PCs Applications/笔记本电脑应用 * Portable Equipment Applications/便携式设备的应用 Features (1) 超薄小体积封装 (2) 高速开关 (3) 小栅极电荷: QSW = 5.0 nC (typ.) (4) 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 7.3 mΩ (typ.) (5) 高正向转移导纳: |Yfs| = 60 S (typ.) (6) 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) (7) 增强模式: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 封装:PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):24 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.011 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):1433 typ. 通道极性:N沟道 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):72 导通延迟时间Td(on)(ns):9.3 typ. 上升时间Tr(ns):2.8 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):21 typ. 下降时...
