供应 场效应管 TPCA8030-H TPCA8040-H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TPCA8030-H | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | PSOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:TPCA8030-H
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H)
Applications/应用
* High-Efficiency DC-DC Converters Applications/高效率DC-DC转换器应用
* Notebook PCs Applications/笔记本电脑应用
* Portable Equipment Applications/便携式设备的应用
Features
(1) 超薄小体积封装
(2) 高速开关
(3) 小栅极电荷: QSW = 5.0 nC (typ.)
(4) 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 7.3 mΩ (typ.)
(5) 高正向转移导纳: |Yfs| = 60 S (typ.)
(6) 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
(7) 增强模式: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
封装:PSOP-8
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):24
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.011 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):30
输入电容Ciss(PF):1433 typ.
通道极性:N沟道
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):72
导通延迟时间Td(on)(ns):9.3 typ.
上升时间Tr(ns):2.8 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):21 typ.
下降时间Tf(ns):3.4 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPCA8030-H,30V,24A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
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经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 TPCA8064-H TPCA8A05-H
信息内容：深圳市金城微零件,场效应管专家！新到TOSHIBA/东芝贴片8脚（SOP-8、QFN-8 5*6/PSOP-8、TSSOP-8)系列MOS,广泛应用于航模电调,电脑主板显卡,笔记本电脑,移动手机,DC-DC转换器,电机驱动,开关稳压器等领域! 全新原装，现货供应！ 产品型号:TPCA8064-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H) Applications/应用 * High-Efficiency DC-DC Converters/高效率DC-DC转换器 * Notebook PCs/笔记本电脑 * Mobile Handsets/移动手机 Features (1) 超薄小体积封装 (2) 高速开关 (3) Small gate change: QSW = 5.0 nC (typ.) (4) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 7.9 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V) (5) 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) (6) 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA) 封装:PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0082 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):32 输入电容Ciss(PF):1600 typ. 通道极性:N...
供应 场效应管 2SK3399 K3399
信息内容：2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω,带二极管保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV) 应用: * 开关稳压器应用 特点: * 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.54Ω（典型值） * 高正向传输导纳：|YFS|= 5.2 S（典型值） * 低漏电流IDSS= 100uA（值）（VDSS= 600 V） * Enhancementmode：VTH= 3.0--5.0 V（VDS =10V，ID= 1毫安） 产品型号:2SK3399 封装:SOT-263 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):100 输入电容Ciss(PF):1750 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):8 typ. 下降时间Tf(ns):35 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK3399,600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产...
