供应 场效应管 2SK3399 K3399
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3399 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω,带二极管保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)
应用:
* 开关稳压器应用
特点:
* 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.54Ω（典型值）
* 高正向传输导纳：|YFS|= 5.2 S（典型值）
* 低漏电流IDSS= 100uA（值）（VDSS= 600 V）
* Enhancementmode：VTH= 3.0--5.0 V（VDS =10V，ID= 1毫安）
产品型号:2SK3399
封装:SOT-263
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):100
输入电容Ciss(PF):1750 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):8 typ.
下降时间Tf(ns):35 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3399,600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
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供应 场效应管 FDPF5N50NZU FDPF5N50
信息内容：FDPF5N50NZU,TO-220F,DIP/MOS,N-Channel MOSFET,500V,3.9A,2Ω 产品型号:FDPF5N50NZU 特点: * RDS(on) = 1.7Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 1.95A * Low Gate Charge ( Typ. 9nC) * Low Crss ( Typ. 4pF) * Fast Switching * 100% Avalanche Tested * Improved dv/dt Capability * ESD Imoroved Capability * RoHS Compliant 封装:TO-220F 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):3.9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):365 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):135 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):19 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):31 typ. 下降时间Tf(ns):22 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,3.9A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应...
供应 场效应管 2SK4212 2SK4212-ZK-E1 K4212
信息内容：2SK4212-ZK-E1,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,48A,0.0078Ω 开关 N沟道功率MOSFET 2SK4212是N沟道MOSFET器件,具有低通态电阻和优良的开关特性，专为低电压高电流的应用 ，如同步整流DC/ DC转换器。 特点: * 低通态电阻: RDS(on)1 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A) RDS(on)2 = 14 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 20 A) * 低总栅极电荷: QG = 27 nC TYP. (VDD = 15 V, VGS = 10 V, ID = 30 A) * 4.5 V可驱动 * 额定的雪崩能力） 产品型号:2SK4212 N沟道功率MOSFET 封装:SOT-252 品牌：NEC 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):48 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0078 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):1200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：22 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):28.9 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):14 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ. 下降时间Tf(ns):11 typ. 温度(℃): -55...
