供应 场效应管 2SK4212 2SK4212-ZK-E1 K4212
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK4212-ZK-E1 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
2SK4212-ZK-E1,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,48A,0.0078Ω
开关
N沟道功率MOSFET
2SK4212是N沟道MOSFET器件,具有低通态电阻和优良的开关特性，专为低电压高电流的应用
，如同步整流DC/ DC转换器。
特点:
* 低通态电阻:
RDS(on)1 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)
RDS(on)2 = 14 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 20 A)
* 低总栅极电荷:
QG = 27 nC TYP. (VDD = 15 V, VGS = 10 V, ID = 30 A)
* 4.5 V可驱动
* 额定的雪崩能力）
产品型号:2SK4212 N沟道功率MOSFET
封装:SOT-252
品牌：NEC
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):48
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0078 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):1200 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：22
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):28.9
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):14 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ.
下降时间Tf(ns):11 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4212-ZK-E1,N场,25V,48A N-沟道增强型场效应晶体管
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供应 场效应管 2SK4213 2SK4213-ZK-E1 K4213
信息内容：2SK4213-ZK-E1,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,64A,0.006Ω 开关 N沟道功率MOSFET 2SK4213是N沟道MOS FET器件具有低通态电阻和优良的开关特性，专为低电压高电流的应用 ，如同步整流DC/ DC转换器。 特点: * 低通态电阻: RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A) RDS(on)2 = 9.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 20 A) * 低总栅极电荷: QG = 34 nC TYP. (VDD = 15 V, VGS = 10 V, ID = 30 A) * 4.5 V可驱动 * 额定的雪崩能力） 产品型号:2SK4213 N沟道功率MOSFET 封装:SOT-252 品牌：NEC 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):64 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1700 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：27 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):44 导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ. 上升时间Tr(ns):14 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):49 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~150 ...
供应 场效应管 TPCA8045-H TPCA8046-H
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