供应 场效应管 2SK4213 2SK4213-ZK-E1 K4213
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK4213-ZK-E1 | |
| 品牌/商标： | NEC | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
2SK4213-ZK-E1,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,64A,0.006Ω
开关
N沟道功率MOSFET
2SK4213是N沟道MOS FET器件具有低通态电阻和优良的开关特性，专为低电压高电流的应用
，如同步整流DC/ DC转换器。
特点:
* 低通态电阻:
RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)
RDS(on)2 = 9.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 20 A)
* 低总栅极电荷:
QG = 34 nC TYP. (VDD = 15 V, VGS = 10 V, ID = 30 A)
* 4.5 V可驱动
* 额定的雪崩能力）
产品型号:2SK4213 N沟道功率MOSFET
封装:SOT-252
品牌：NEC
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):64
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1700 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：27
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):44
导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ.
上升时间Tr(ns):14 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):49 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4213-ZK-E1,N场,25V,64A N-沟道增强型场效应晶体管
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供应 场效应管 TPCA8045-H TPCA8046-H
信息内容：场效应管专家！新到TOSHIBA/东芝贴片8脚（SOP-8、QFN-8 5*6/PSOP-8、TSSOP-8)系列MOS,广泛应用于航模电调,电脑主板显卡,笔记本电脑,移动手机,DC-DC转换器,电机驱动,开关稳压器等领域! 全新原装，现货供应！ TPCA8045-H,QFN-8 5*6/PSOP-8,SMD/MOS,N场,40V,46A,0.0036Ωdzsc/19/4317/19431702.jpg 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种场效应管、IGBT、三极管、肖特基、快恢复、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC等.. 经营品牌:AO IR ON ST TOSHIBA/东芝 FAIRCHILD/仙童 SANYO/三洋 infineon/英飞凌 FUJ/富士电机 NEC KEC AP/富鼎 企业网站： http://www.chinajincheng.com (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet,ROHS等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TPCA8028-H TPCA8003-H
信息内容：产品型号:TPCA8028-H 应用: 高效率DC / DC转换器应用 笔记型电脑PC应用程序 便携式设备的应用 特点: * Small footprint due to a small and thin package * High-speed switching * Small gate charge: QSW = 20 nC (typ.) * Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.0 mΩ (typ.) * High forward transfer admittance: |Yfs| = 166 S (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H) 封装:QFN-8 5*6/PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0028 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):6000 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：166 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):325 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):5 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):71...
