供应 场效应管 TPCA8045-H TPCA8046-H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TPCA8045-H | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | PSOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
场效应管专家！新到TOSHIBA/东芝贴片8脚（SOP-8、QFN-8 5*6/PSOP-8、TSSOP-8)系列MOS,广泛应用于航模电调,电脑主板显卡,笔记本电脑,移动手机,DC-DC转换器,电机驱动,开关稳压器等领域!
全新原装，现货供应！
TPCA8045-H,QFN-8 5*6/PSOP-8,SMD/MOS,N场,40V,46A,0.0036Ωdzsc/19/4317/19431702.jpg
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种场效应管、IGBT、三极管、肖特基、快恢复、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC等..
经营品牌:AO IR ON ST TOSHIBA/东芝 FAIRCHILD/仙童 SANYO/三洋 infineon/英飞凌 FUJ/富士电机 NEC KEC AP/富鼎
企业网站： http://www.chinajincheng.com
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet,ROHS等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 TPCA8028-H TPCA8003-H
信息内容：产品型号:TPCA8028-H 应用: 高效率DC / DC转换器应用 笔记型电脑PC应用程序 便携式设备的应用 特点: * Small footprint due to a small and thin package * High-speed switching * Small gate charge: QSW = 20 nC (typ.) * Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.0 mΩ (typ.) * High forward transfer admittance: |Yfs| = 166 S (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H) 封装:QFN-8 5*6/PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0028 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):6000 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：166 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):325 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):5 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):71...
供应 场效应管 TPCA8012-H TPCA8A02-H
信息内容：产品型号:TPCA8012-H 应用: 高效率DC / DC转换器应用 笔记型电脑PC应用程序 便携式设备的应用 特点: * Small footprint due to a small and thin package * High speed switching * Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.) * Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.7 mΩ (typ.) * High forward transfer admittance: |Yfs| = 103 S (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) 封装:QFN-8 5*6/PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0049 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):2900 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：103 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):208 导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ. 上升时间Tr(ns):4.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns...
