供应 场效应管 TPCA8028-H TPCA8003-H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TPCA8028-H | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | PSOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:TPCA8028-H
应用:
高效率DC / DC转换器应用
笔记型电脑PC应用程序
便携式设备的应用
特点:
* Small footprint due to a small and thin package
* High-speed switching
* Small gate charge: QSW = 20 nC (typ.)
* Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.0 mΩ (typ.)
* High forward transfer admittance: |Yfs| = 166 S (typ.)
* Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
* Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)
封装:QFN-8 5*6/PSOP-8
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):50
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0028 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):6000 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：166
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):325
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):5 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):71 typ.
下降时间Tf(ns):9.8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPCA8012-H,30V,50A,0.0028Ω N-沟道增强型场效应晶体管
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供应 场效应管 TPCA8012-H TPCA8A02-H
信息内容：产品型号:TPCA8012-H 应用: 高效率DC / DC转换器应用 笔记型电脑PC应用程序 便携式设备的应用 特点: * Small footprint due to a small and thin package * High speed switching * Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.) * Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.7 mΩ (typ.) * High forward transfer admittance: |Yfs| = 103 S (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) 封装:QFN-8 5*6/PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0049 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):2900 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：103 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):208 导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ. 上升时间Tr(ns):4.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns...
供应 场效应管 TPCA8053-H TPCA8050-H
信息内容：产品型号:TPCA8053-H 应用: 开关稳压器应用 电机驱动应用 DC-DC转换器应用 特点: * Small footprint due to a small and thin package * High-speed switching * Small gate charge: QSW = 6.9 nC (typ.) * Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 13.9 mΩ (typ.) * High forward transfer admittance: |Yfs| = 46 S (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) * Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA) 封装:QFN-8 5*6/PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0223 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):1620 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：46 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):16 导通延迟时间Td(on)(ns):2.4 typ. 上升时间Tr(ns):9.1 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ. 下降时间Tf(ns):7 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPCA8053-H,60V ,15A...
