供应 场效应管 TPCA8012-H TPCA8A02-H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TPCA8012-H | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | PSOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:TPCA8012-H
应用:
高效率DC / DC转换器应用
笔记型电脑PC应用程序
便携式设备的应用
特点:
* Small footprint due to a small and thin package
* High speed switching
* Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.)
* Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.7 mΩ (typ.)
* High forward transfer admittance: |Yfs| = 103 S (typ.)
* Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
* Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H)
封装:QFN-8 5*6/PSOP-8
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0049 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):2900 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：103
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):208
导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ.
上升时间Tr(ns):4.2 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):42 typ.
下降时间Tf(ns):8.3 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPCA8012-H,30V,40A,0.0049Ω N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TPCA8053-H TPCA8050-H
信息内容：产品型号:TPCA8053-H 应用: 开关稳压器应用 电机驱动应用 DC-DC转换器应用 特点: * Small footprint due to a small and thin package * High-speed switching * Small gate charge: QSW = 6.9 nC (typ.) * Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 13.9 mΩ (typ.) * High forward transfer admittance: |Yfs| = 46 S (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) * Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA) 封装:QFN-8 5*6/PSOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0223 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):1620 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：46 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):16 导通延迟时间Td(on)(ns):2.4 typ. 上升时间Tr(ns):9.1 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ. 下降时间Tf(ns):7 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPCA8053-H,60V ,15A...
供应 场效应管 2SJ656 J656 2SJ657 J657
信息内容：2SJ656,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-18A,0.0755Ω 产品型号:2SJ656 P-Channl Silicon MOSFET 应用：General-Purpose Switching Device/通用开关设备 特点 * 低导通电阻。 * 超高速开关。 * 4V驱动器。 * 电机驱动器，DC/ DC转换器。 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0755 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2.6 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):4200 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：20 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 上升时间Tr(ns):110 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):340 typ. 下降时间Tf(ns):128 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SJ656 -100V,-18A P-沟道增强型场效应晶体管 圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
