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供应 场效应管 TPCA8053-H TPCA8050-H

价 格: 面议
型号/规格:TPCA8053-H
品牌/商标:TOSHIBA(东芝)
封装形式:PSOP-8
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装

产品型号:TPCA8053-H


应用:
开关稳压器应用
电机驱动应用
DC-DC转换器应用

特点:
 * Small footprint due to a small and thin package
 * High-speed switching
 * Small gate charge: QSW = 6.9 nC (typ.)
 * Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 13.9 mΩ (typ.)
 * High forward transfer admittance: |Yfs| = 46 S (typ.)
 * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)
 * Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

封装:QFN-8 5*6/PSOP-8

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):15

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0223 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.3

功率PD(W):30

输入电容Ciss(PF):1620 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):46

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):16

导通延迟时间Td(on)(ns):2.4 typ.

上升时间Tr(ns):9.1 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.

下降时间Tf(ns):7 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TPCA8053-H,60V ,15A,0.0223Ω N-沟道增强型场效应晶体管

 

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深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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信息内容:

2SJ656,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-18A,0.0755Ω 产品型号:2SJ656 P-Channl Silicon MOSFET 应用:General-Purpose Switching Device/通用开关设备 特点 * 低导通电阻。 * 超高速开关。 * 4V驱动器。 * 电机驱动器,DC/ DC转换器。 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0755 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2.6 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):4200 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s):20 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 上升时间Tr(ns):110 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):340 typ. 下降时间Tf(ns):128 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SJ656 -100V,-18A P-沟道增强型场效应晶体管 圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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信息内容:

产品型号:2SJ650 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.135 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2.6 功率PD(W):20 输入电容Ciss(PF):1020 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s):10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):145 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):85 typ. 下降时间Tf(ns):96 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SJ650 TO-220F -60V,-12A P-沟道增强型场效应晶体管 圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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