供应 场效应管 2SJ650 J650 2SJ654 J654
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SJ650 | |
| 品牌/商标： | SANYO（三洋） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 100/包 |
产品型号:2SJ650
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.135 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2.6
功率PD(W):20
输入电容Ciss(PF):1020 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):145 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):85 typ.
下降时间Tf(ns):96 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SJ650 TO-220F -60V,-12A P-沟道增强型场效应晶体管
圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK150F04K3 K150F04K3
信息内容：产品型号:TK150F04K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) 应用: * 开关稳压器，DC-DC转换器应用 * 电机驱动应用 特点解： * 低漏源导通电阻RDS（ON）=1.7mΩ（TYP.） * 高正向转移导纳：｜YFS｜=210 S（TYP.） * 低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS= 40 V） * 增强模式：VTH =3.0--4.0 V（VDS=10V，ID= 1 mA） 封装:SOT-263 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):150 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0021 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):300 输入电容Ciss(PF):7500 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：210 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):234 导通延迟时间Td(on)(ns):48 typ. 上升时间Tr(ns):32 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ. 下降时间Tf(ns):43 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:TK150F04K3,40V,150A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 IPP80P03P4L-07 4P03L07
信息内容：IPP80P03P4L-07,TO-220,DIP/MOS,P场,-30V,-80A,0.0072Ω OptiMOS-P2 Power-Transistor 特点 * P-沟道增强模式 - 逻辑电平 - * AEC资格 * MSL1高达260℃峰值回流 * 175°C的工作温度 * 绿色封装（符合RoHS） * 100％的雪崩测试 * 拟反向电池保护 产品型号:IPP80P03P4L-07 封装:TO-220 品牌：INFINEON/英飞凌 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):+5/-16 漏极电流Id(A):-80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0072 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2 功率PD(W):88 输入电容Ciss(PF):4400 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):135 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 上升时间Tr(ns):4 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 下降时间Tf(ns):60 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:IPP80P03P4L-07,-30V,-80A P-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源...
