价 格: | 面议 | |
型号/规格: | TK150F04K3 | |
品牌/商标: | TOSHIBA(东芝) | |
封装形式: | SOT-263 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 800/盘 |
产品型号:TK150F04K3
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV)
应用:
* 开关稳压器,DC-DC转换器应用
* 电机驱动应用
特点解:
* 低漏源导通电阻RDS(ON)=1.7mΩ(TYP.)
* 高正向转移导纳:|YFS|=210 S(TYP.)
* 低漏电流IDSS=10μA(值)(VDS= 40 V)
* 增强模式:VTH =3.0--4.0 V(VDS=10V,ID= 1 mA)
封装:SOT-263
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):150
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0021 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):300
输入电容Ciss(PF):7500 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):210
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):234
导通延迟时间Td(on)(ns):48 typ.
上升时间Tr(ns):32 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.
下降时间Tf(ns):43 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:TK150F04K3,40V,150A N-沟道增强型场效应晶体管
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IPP80P03P4L-07,TO-220,DIP/MOS,P场,-30V,-80A,0.0072Ω OptiMOS-P2 Power-Transistor 特点 * P-沟道增强模式 - 逻辑电平 - * AEC资格 * MSL1高达260℃峰值回流 * 175°C的工作温度 * 绿色封装(符合RoHS) * 100%的雪崩测试 * 拟反向电池保护 产品型号:IPP80P03P4L-07 封装:TO-220 品牌:INFINEON/英飞凌 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):+5/-16 漏极电流Id(A):-80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0072 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2 功率PD(W):88 输入电容Ciss(PF):4400 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s): 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):135 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 上升时间Tr(ns):4 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 下降时间Tf(ns):60 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:IPP80P03P4L-07,-30V,-80A P-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源...
SSM3J112TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-30V,-1.1A,0.39Ω,带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 特点: * 4.0V驱动器 * 低导通电阻:Ron = 363mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) :Ron = 230mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) :Ron = 158mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)) 产品型号:SSM3J112TU 封装:SOT-323 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-1.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.39 @VGS = -10 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.8 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):86 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s):1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):8.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J112TU,-30V,-1.1A P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)