供应 场效应管 SSM3J112TU JJ5
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3J112TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3J112TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-30V,-1.1A,0.39Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
特点：
* 4.0V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 363mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
：Ron = 230mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
：Ron = 158mΩ (max) (@VGS = -4.0 V))
产品型号:SSM3J112TU
封装:SOT-323
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-1.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.39 @VGS = -10 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.8
功率PD(W):0.8
输入电容Ciss(PF):86 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：1
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):8.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J112TU，-30V,-1.1A P-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J109TU JJ2
信息内容：SSM3J109TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) 应用: * 电源管理开关应用 * 高速开关应用 特点： * 1.8V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 300 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：Ron = 172 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：Ron = 130 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) 产品型号:SSM3J109TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.13 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):335 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J109TU，-20V,-2A P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3J108TU JJ1
信息内容：SSM3J108TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-1.8A,0.158Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 特点： * 1.8V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 363mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：Ron = 230mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：Ron = 158mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)) 产品型号:SSM3J108TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-1.8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.158 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):250 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：3.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):18 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J108TU，-20V,-1.8A P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
