供应 场效应管 IPP80P03P4L-07 4P03L07
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IPP80P03P4L-07 | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
IPP80P03P4L-07,TO-220,DIP/MOS,P场,-30V,-80A,0.0072Ω
OptiMOS-P2 Power-Transistor
特点
* P-沟道增强模式 - 逻辑电平 -
* AEC资格
* MSL1高达260℃峰值回流
* 175°C的工作温度
* 绿色封装（符合RoHS）
* 100％的雪崩测试
* 拟反向电池保护
产品型号:IPP80P03P4L-07
封装:TO-220
品牌：INFINEON/英飞凌
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):+5/-16
漏极电流Id(A):-80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0072 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2
功率PD(W):88
输入电容Ciss(PF):4400 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):135
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):4 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
下降时间Tf(ns):60 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:IPP80P03P4L-07,-30V,-80A P-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J112TU JJ5
信息内容：SSM3J112TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-30V,-1.1A,0.39Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 特点： * 4.0V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 363mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：Ron = 230mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：Ron = 158mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)) 产品型号:SSM3J112TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-1.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.39 @VGS = -10 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.8 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):86 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):8.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J112TU，-30V,-1.1A P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3J109TU JJ2
信息内容：SSM3J109TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) 应用: * 电源管理开关应用 * 高速开关应用 特点： * 1.8V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 300 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：Ron = 172 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：Ron = 130 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) 产品型号:SSM3J109TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.13 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):335 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J109TU，-20V,-2A P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
