场效应管 2SK4070,K4070
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | 2SK4070,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1A,11Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | NEC/日本电气 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
2SK4070,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1A,11Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管
应用:
* 开关
特点:
* 低栅极电荷：QG = 5 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 1.0 A)
* 门额定电压：±30 V
* 低通态电阻: RDS(on) = 11 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 0.5 A)
* 雪崩能力评级
产品型号:2SK4070
封装:TO-251
品牌：NEC
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):22
输入电容Ciss(PF):110 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):38.4
导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ.
上升时间Tr(ns):6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.
下降时间Tf(ns):18 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4070,600V,1A N-沟道增强型场效应晶体管
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场效应管 2SK3399,K3399
信息内容：2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω,带二极管保护TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)应用: * 开关稳压器应用特点: * 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.54Ω（典型值） * 高正向传输导纳：|YFS|= 5.2 S（典型值） * 低漏电流IDSS= 100uA（值）（VDSS= 600 V） * Enhancementmode：VTH= 3.0--5.0 V（VDS =10V，ID= 1毫安）产品型号:2SK3399封装:SOT-263品牌：TOSHIBA/东芝源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):10源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):5功率PD(W):100输入电容Ciss(PF):1750 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：5.2单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.上升时间Tr(ns):40 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):8 typ.下降时间Tf(ns):35 typ.温度(℃): -55 ~150描述:2SK3399,600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管登陆我站:http://www.chinajincheng.com(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
肖特基二极管 MBRD10U200CT
信息内容：MBRD10U200CT,SOT-252,SMD/肖特基,共阴,200V,10A, 深圳金城微零件有限公司 主营MOS管 【真正做实业的企业】 金城微零件诚信经营15年,为了给客户带来更大利益，能够与客户发展长期稳定合作关系，我们一直以"现货库存，诚信经营"为理念，以 “卓越品质、优质服务”为宗旨,竭诚为客户提供各种服务。dzsc/19/3334/19333419.jpg 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
