肖特基二极管 MBRD10U200CT
| 价 格： | 面议 | |
| 电压,Vz： | 200v | |
| 工作温度范围： | -40~150（℃） | |
| 型号/规格： | MBRD10U200CT | |
| 批号： | 12NPB | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 品牌/商标： | KEC | |
| 产品类型： | 肖特基管 | |
| 针脚数： | 2 | |
| 是否进口： | 是 | |
| 封装： | SOT-252 |
MBRD10U200CT,SOT-252,SMD/肖特基,共阴,200V,10A,
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100%原装现货 LZP80N06 LZP80N06P
信息内容：产品型号:LZP80N06Features/特点: * Avalanche Rugged Technology/坚固的雪崩技术 * Rugged Gate Oxide Technology/坚固的门栅氧化层技术 * High di/dt Capability/高di/dt的能力 * Improved Gate Charge/改进的栅极电荷 * Wide Expanded Safe Operating Area/宽扩展安全工作区Application/应用: * UPS * Car Inverter/车载逆变器 * E-bike/电动自行车 * SMPS封装:TO-220品牌：LITEON/光宝源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):80源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):300输入电容Ciss(PF):3960 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：4.5单脉冲雪崩能量EAS(mJ):900导通延迟时间Td(on)(ns):47 typ.上升时间Tr(ns):185 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):250 typ.下降时间Tf(ns):130 typ.温度(℃): -55 ~175描述:LZP80N06P,60V ,80A,0.01ΩA N-沟道增强型场效应晶体管深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等企业网站:http://www.chinajincheng.com(产品图片,产...
