100%原装现货 LZP80N06 LZP80N06P
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | LZP80N06P | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | LITEON/光宝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:LZP80N06
Features/特点:
* Avalanche Rugged Technology/坚固的雪崩技术
* Rugged Gate Oxide Technology/坚固的门栅氧化层技术
* High di/dt Capability/高di/dt的能力
* Improved Gate Charge/改进的栅极电荷
* Wide Expanded Safe Operating Area/宽扩展安全工作区
Application/应用:
* UPS
* Car Inverter/车载逆变器
* E-bike/电动自行车
* SMPS
封装:TO-220
品牌：LITEON/光宝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):300
输入电容Ciss(PF):3960 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):900
导通延迟时间Td(on)(ns):47 typ.
上升时间Tr(ns):185 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):250 typ.
下降时间Tf(ns):130 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:LZP80N06P,60V ,80A,0.01ΩA N-沟道增强型场效应晶体管
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