场效应管 2SK3399,K3399
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | 2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | MAP/匹配对管 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω,带二极管保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)
应用:
* 开关稳压器应用
特点:
* 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.54Ω（典型值）
* 高正向传输导纳：|YFS|= 5.2 S（典型值）
* 低漏电流IDSS= 100uA（值）（VDSS= 600 V）
* Enhancementmode：VTH= 3.0--5.0 V（VDS =10V，ID= 1毫安）
产品型号:2SK3399
封装:SOT-263
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):100
输入电容Ciss(PF):1750 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):8 typ.
下降时间Tf(ns):35 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3399,600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
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肖特基二极管 MBRD10U200CT
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信息内容：产品型号:LZP80N06Features/特点: * Avalanche Rugged Technology/坚固的雪崩技术 * Rugged Gate Oxide Technology/坚固的门栅氧化层技术 * High di/dt Capability/高di/dt的能力 * Improved Gate Charge/改进的栅极电荷 * Wide Expanded Safe Operating Area/宽扩展安全工作区Application/应用: * UPS * Car Inverter/车载逆变器 * E-bike/电动自行车 * SMPS封装:TO-220品牌：LITEON/光宝源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):80源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):300输入电容Ciss(PF):3960 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：4.5单脉冲雪崩能量EAS(mJ):900导通延迟时间Td(on)(ns):47 typ.上升时间Tr(ns):185 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):250 typ.下降时间Tf(ns):130 typ.温度(℃): -55 ~175描述:LZP80N06P,60V ,80A,0.01ΩA N-沟道增强型场效应晶体管深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等企业网站:http://www.chinajincheng.com(产品图片,产...
