场效应管 2SK3305,K3305
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | 2SK3305,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | NEC/日本电气 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
2SK3305,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管
应用:
* 开关
* 工业用
特点:
* 低栅极电荷：QG = 13 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5.0 A)
* 门额定电压：±30 V
* 低通态电阻: RDS(on) = 1.5 W MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.5 A)
* 雪崩能力评级
产品型号:2SK3305
封装:TO-220
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):75
输入电容Ciss(PF):700 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):125
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):3 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.
下降时间Tf(ns):5.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3305,500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
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场效应管 2SK4070,K4070
信息内容：2SK4070,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1A,11Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管应用: * 开关特点: * 低栅极电荷：QG = 5 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 1.0 A) * 门额定电压：±30 V * 低通态电阻: RDS(on) = 11 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 0.5 A) * 雪崩能力评级产品型号:2SK4070封装:TO-251品牌：NEC源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):1源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3.5功率PD(W):22输入电容Ciss(PF):110 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：0.4单脉冲雪崩能量EAS(mJ):38.4导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ.上升时间Tr(ns):6 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.下降时间Tf(ns):18 typ.温度(℃): -55 ~150描述:2SK4070,600V,1A N-沟道增强型场效应晶体管登陆我站:http://www.chinajincheng.com(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.) "
场效应管 2SK3399,K3399
信息内容：2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω,带二极管保护TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)应用: * 开关稳压器应用特点: * 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.54Ω（典型值） * 高正向传输导纳：|YFS|= 5.2 S（典型值） * 低漏电流IDSS= 100uA（值）（VDSS= 600 V） * Enhancementmode：VTH= 3.0--5.0 V（VDS =10V，ID= 1毫安）产品型号:2SK3399封装:SOT-263品牌：TOSHIBA/东芝源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):10源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):5功率PD(W):100输入电容Ciss(PF):1750 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：5.2单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.上升时间Tr(ns):40 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):8 typ.下降时间Tf(ns):35 typ.温度(℃): -55 ~150描述:2SK3399,600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管登陆我站:http://www.chinajincheng.com(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
