现货供应IRFBC30PBF/ MOS管/场效应管/IGBT 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFBC30PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | Vishay/威世通 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 原装正品： | 原装正品 | |
| 封装/规格： | TO-220 |
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吴锡平
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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信息内容：dzsc/19/2791/19279126.jpg制造商:Fairchild Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS:dzsc/19/2791/19279126.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流:94 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.0057 Ohms 配置:Single 工作温度: 175 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252AA 封装:Reel 下降时间:41 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:80 W 上升时间:106 ns 工厂包装数量:2500 典型关闭延迟时间:53 ns 零件号别名:FDD8896
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信息内容：dzsc/19/2796/19279687.jpg 制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2796/19279687.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:6 A电阻汲极/源极 RDS（导通）:2.3 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220F封装:Tube下降时间:60 ns 正向跨导 gFS（值/最小值）:5.5 S 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:56 W 上升时间:90 ns 工厂包装数量:50 典型关闭延迟时间:55 ns 零件号别名:FQPF6N90C
