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现货供应FQPF6N90C MOS管/场效应管/IGBT 原装

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:FQPF6N90C
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
用途:L/功率放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装/规格:TO-220F N沟道 900V 6A
原装正品:原装正品

dzsc/19/2796/19279687.jpg

 

制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:dzsc/19/2796/19279687.jpg 详细信息 
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:900 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流:6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.3 Ohms
配置:Single
工作温度: 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220F
封装:Tube
下降时间:60 ns 
正向跨导 gFS(值/最小值):5.5 S 
最小工作温度:- 55 C 
功率耗散:56 W 
上升时间:90 ns 
工厂包装数量:50 
典型关闭延迟时间:55 ns 
零件号别名:FQPF6N90C

吴锡平
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴锡平
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信息内容:

dzsc/19/2799/19279970.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:IGBT 晶体管RoHS:dzsc/19/2799/19279970.jpg 详细信息 配置:Single集电极—发射极电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:2.1 V栅极/发射极电压: /- 20 V在25 C的连续集电极电流:40 A栅极—射极漏泄电流: /- 100 nA功率耗散:160 W工作温度: 150 C封装 / 箱体:TO-3P-3封装:Tube集电极连续电流 Ic:40 A 最小工作温度:- 55 C 安装风格:Through Hole 工厂包装数量:30 零件号别名:SGH40N60UFDTU_NL

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现货供应江苏长电/CJ431 T0-92 集成电路IC 原装

信息内容:

dzsc/19/2977/19297745.jpgCJ431:三端可调分流基准电压源431是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准电压源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref(2.5V)到36V范围内的任何值。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω,在很多应用中可以用它代替齐纳二极管,例如,数字电压表,运放电路、可调压电源,开关电源等等。特点:. 可编程输出电压为36V. 电压参考误差:±0.5% ±0.3%.低动态输出阻抗,典型0.22Ω. 负载电流能力1.0mA to 100mA. 等效全范围温度系数50 ppm/℃典型. 温度补偿操作全额定工作温度范围. 低输出噪声电压

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