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现货供应FDD8896/ MOS管/场效应管/IGBT 原装

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:FDD8896
封装外形:SMD(SO)/表面封装
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
用途:A/宽频带放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
原装正品:原装正品
封装/规格:SOT-252/30V 94A

dzsc/19/2791/19279126.jpg

制造商:Fairchild Semiconductor 
产品种类:MOSFET 
RoHS:dzsc/19/2791/19279126.jpg 详细信息 
晶体管极性:N-Channel 
汲极/源极击穿电压:30 V 
闸/源击穿电压: /- 20 V 
漏极连续电流:94 A 
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0057 Ohms 
配置:Single 
工作温度: 175 C 
安装风格:SMD/SMT 
封装 / 箱体:TO-252AA 
封装:Reel 
下降时间:41 ns 
最小工作温度:- 55 C 
功率耗散:80 W 
上升时间:106 ns 
工厂包装数量:2500 
典型关闭延迟时间:53 ns 
零件号别名:FDD8896

 

吴锡平
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴锡平
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信息内容:

dzsc/19/2796/19279687.jpg 制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2796/19279687.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:6 A电阻汲极/源极 RDS(导通):2.3 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220F封装:Tube下降时间:60 ns 正向跨导 gFS(值/最小值):5.5 S 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:56 W 上升时间:90 ns 工厂包装数量:50 典型关闭延迟时间:55 ns 零件号别名:FQPF6N90C

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信息内容:

dzsc/19/2799/19279970.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:IGBT 晶体管RoHS:dzsc/19/2799/19279970.jpg 详细信息 配置:Single集电极—发射极电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:2.1 V栅极/发射极电压: /- 20 V在25 C的连续集电极电流:40 A栅极—射极漏泄电流: /- 100 nA功率耗散:160 W工作温度: 150 C封装 / 箱体:TO-3P-3封装:Tube集电极连续电流 Ic:40 A 最小工作温度:- 55 C 安装风格:Through Hole 工厂包装数量:30 零件号别名:SGH40N60UFDTU_NL

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