价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | FDD8896 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
原装正品: | 原装正品 | |
封装/规格: | SOT-252/30V 94A |
dzsc/19/2791/19279126.jpg
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dzsc/19/2796/19279687.jpg 制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2796/19279687.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:6 A电阻汲极/源极 RDS(导通):2.3 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220F封装:Tube下降时间:60 ns 正向跨导 gFS(值/最小值):5.5 S 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:56 W 上升时间:90 ns 工厂包装数量:50 典型关闭延迟时间:55 ns 零件号别名:FQPF6N90C
dzsc/19/2799/19279970.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:IGBT 晶体管RoHS:dzsc/19/2799/19279970.jpg 详细信息 配置:Single集电极—发射极电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:2.1 V栅极/发射极电压: /- 20 V在25 C的连续集电极电流:40 A栅极—射极漏泄电流: /- 100 nA功率耗散:160 W工作温度: 150 C封装 / 箱体:TO-3P-3封装:Tube集电极连续电流 Ic:40 A 最小工作温度:- 55 C 安装风格:Through Hole 工厂包装数量:30 零件号别名:SGH40N60UFDTU_NL