现货供应2SK4107FT/ MOS管/场效应管/IGBT 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | 2SK4107FT | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 原装正品： | 原装正品 | |
| 封装/规格： | TO-3P |
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标准包装50
类别分立半导体产品
FET - 单
系列-
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）15A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）400 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2450pF @ 25V
功率 - 值150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装TO-3P（N）
包装散装
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吴锡平
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- 手机：13713859204
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现货供应IRFBC30PBF/ MOS管/场效应管/IGBT 原装
信息内容：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:600 V闸/源击穿电压: /- 20 V漏极连续电流:3.6 A电阻汲极/源极 RDS（导通）:2.2 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube下降时间:14 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:74 W 上升时间:13 ns 工厂包装数量:1000 典型关闭延迟时间:35 ns
现货供应FDD8896/ MOS管/场效应管/IGBT 原装
信息内容：dzsc/19/2791/19279126.jpg制造商:Fairchild Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS:dzsc/19/2791/19279126.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流:94 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.0057 Ohms 配置:Single 工作温度: 175 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252AA 封装:Reel 下降时间:41 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:80 W 上升时间:106 ns 工厂包装数量:2500 典型关闭延迟时间:53 ns 零件号别名:FDD8896
