价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 2SK2611 | |
品牌/商标: | TOSHIBA | |
封装形式: | TO-3P(N) | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特征: | |
属性 值 条件 部件型号 2SK2608 极性 N沟 漏源电压VDSS 900 V 漏电流ID 3 A 漏功耗PD 100 W 门电荷总数Qg (nC) (标准) 25 漏源导通电阻RDS(ON) () @VGS=10V 4.3 Ω 封装 TO-220AB 产品分类 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) RoHS Compatible Product(s) (#) Available
产品的详细情况 型号: 2SK2962 晶体管/功率MOSFET/Nch 60V<VDSS≦150V 性 属性 值 条件 部件型号 2SK2962 极性 N沟 漏源电压VDSS 100 V 漏电流ID 1 A 漏功耗PD 900 mW 门电荷总数Qg (nC) (标准) 6.3 漏源导通电阻RDS(ON) () @VGS=4V 0.95 Ω 漏源导通电阻RDS(ON) () @VGS=10V 0.7 Ω 封装 TO-92MOD 产品分类 功率MOSFET (N沟 60V<VDSS≦150V) 装配基础 日本, 马来西亚 RoHS Compatible Product(s) (#) Available