供应TOS东芝场效应管2SK2611
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK2611 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA | |
| 封装形式： | TO-3P(N) | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | |
深圳市恒骏源电子有些公司
公司信息未核实
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供应TOS场效应管2SK2608
信息内容：属性 值 条件 部件型号 2SK2608 极性 N沟 漏源电压VDSS 900 V 漏电流ID 3 A 漏功耗PD 100 W 门电荷总数Qg (nC) (标准) 25 漏源导通电阻RDS(ON) () @VGS=10V 4.3 Ω 封装 TO-220AB 产品分类 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) RoHS Compatible Product(s) (#) Available
供应TOSHIBA场效应管：2SK2962
信息内容：产品的详细情况 型号: 2SK2962 晶体管/功率MOSFET/Nch 60V<VDSS≦150V 性 属性 值 条件 部件型号 2SK2962 极性 N沟 漏源电压VDSS 100 V 漏电流ID 1 A 漏功耗PD 900 mW 门电荷总数Qg (nC) (标准) 6.3 漏源导通电阻RDS(ON) () @VGS=4V 0.95 Ω 漏源导通电阻RDS(ON) () @VGS=10V 0.7 Ω 封装 TO-92MOD 产品分类 功率MOSFET (N沟 60V<VDSS≦150V) 装配基础 日本, 马来西亚 RoHS Compatible Product(s) (#) Available
