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供应 场效应管 FDPF7N50U,FDPF7N50

价 格: 面议
型号/规格:FDPF7N50U,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω
品牌/商标:FAIRCHILD(飞兆)
封装形式:TO-220F
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:1000/盒

 

产品型号:FDPF7N50U
Features
 * 5A, 500V, RDS(on) = 1.5Ω@VGS =10V
 * 低栅极电荷(typical 12.8 nC)
 * 低Crss(typical 9 pF)
 * 快速开关
 * 100%的雪崩测试
 * 改进dv / dt能力

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):39

输入电容Ciss(PF):720 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):2.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):270

导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.

上升时间Tr(ns):55 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ.

下降时间Tf(ns):35 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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信息内容:

产品型号:TK4A60D 特点 (1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 1.4 Ω (typ.) (2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 2.5 S (typ.) (3) 低漏电流: IDSS = 10uA (max) (VDS = 600 V) (4) 增强模式: Vth = 2.4 to 4.4V (VDS=10V,ID=1mA) 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.7 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):600 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):2.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):187 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):18 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,4A N-沟道增强型场效应晶体管

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信息内容:

TK4A60DB,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,3.7A,2Ω 2SK3767,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2A,4.5Ω 2SK3567,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,3.5A,2.2Ω 2SK3562,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω TK5A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,5A,1.43Ω TK6A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω TK8A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,8A,0.4Ω TK13A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω TK15A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω TK4A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,0.37Ω TK12A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω TK15A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.37Ω TK11A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,11A,0.65Ω TK12A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω TK20A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,20A,0.19Ω TK10A60DR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,10A, TK13A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,13A,0.38Ω 2SK3797,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω 2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω TK4A60DAR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A, TK17A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,17A,0.26Ω TK7A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,0.98Ω TK6A65D,TO-220F,D...

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