供应 场效应管 TK4A60D,TK4A60,TK4A60DA
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK4A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A, | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
产品型号:TK4A60D
特点
(1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 1.4 Ω (typ.)
(2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 2.5 S (typ.)
(3) 低漏电流: IDSS = 10uA (max) (VDS = 600 V)
(4) 增强模式: Vth = 2.4 to 4.4V (VDS=10V,ID=1mA)
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.7 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):187
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):18 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,4A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK4A60DB,K4A60D,TK4A60DAR
信息内容：TK4A60DB,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,3.7A,2Ω 2SK3767,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2A,4.5Ω 2SK3567,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,3.5A,2.2Ω 2SK3562,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω TK5A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,5A,1.43Ω TK6A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω TK8A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,8A,0.4Ω TK13A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω TK15A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω TK4A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,0.37Ω TK12A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω TK15A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.37Ω TK11A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,11A,0.65Ω TK12A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω TK20A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,20A,0.19Ω TK10A60DR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,10A, TK13A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,13A,0.38Ω 2SK3797,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω 2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω TK4A60DAR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A, TK17A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,17A,0.26Ω TK7A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,0.98Ω TK6A65D,TO-220F,D...
供应 场效应管 TK17A65U,TK17A65,K17A65U
信息内容：产品型号:TK17A65U 1. 应用 * 开关稳压器 2. 特点 (1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 0.20 Ω (typ.) (2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 12.0 S (typ.) (3) 低漏电流: IDSS = 100uA (max) (VDS = 650 V) (4) 增强模式: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS=10V,ID=1mA) 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):17 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1450 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：12 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):186 导通延迟时间Td(on)(ns):80 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,17A N-沟道增强型场效应晶体管
