供应 场效应管 AP95T07GP,95T07GP,AP95T07
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP95T07GP,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.005Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AP95T07GP
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):300
输入电容Ciss(PF):4290 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：88
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450
导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ.
上升时间Tr(ns):160 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):38 typ.
下降时间Tf(ns):165 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP2761I-A,2761I,AP2761I
信息内容：产品型号:AP2761I-A 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):37 输入电容Ciss(PF):2770 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):65 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):82 typ. 下降时间Tf(ns):36 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 FDPF7N50U,FDPF7N50
信息内容：产品型号:FDPF7N50U Features * 5A, 500V, RDS(on) = 1.5Ω@VGS =10V * 低栅极电荷（typical 12.8 nC） * 低Crss（typical 9 pF） * 快速开关 * 100％的雪崩测试 * 改进dv / dt能力 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):39 输入电容Ciss(PF):720 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):270 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):55 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ. 下降时间Tf(ns):35 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
