供应 场效应管 AP2761I-A,2761I,AP2761I
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP2761I-A,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,10A,1Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
产品型号:AP2761I-A
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):37
输入电容Ciss(PF):2770 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):65
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):82 typ.
下降时间Tf(ns):36 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FDPF7N50U,FDPF7N50
信息内容：产品型号:FDPF7N50U Features * 5A, 500V, RDS(on) = 1.5Ω@VGS =10V * 低栅极电荷（typical 12.8 nC） * 低Crss（typical 9 pF） * 快速开关 * 100％的雪崩测试 * 改进dv / dt能力 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):39 输入电容Ciss(PF):720 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):270 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):55 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ. 下降时间Tf(ns):35 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 TK4A60D,TK4A60,TK4A60DA
信息内容：产品型号:TK4A60D 特点 (1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 1.4 Ω (typ.) (2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 2.5 S (typ.) (3) 低漏电流: IDSS = 10uA (max) (VDS = 600 V) (4) 增强模式: Vth = 2.4 to 4.4V (VDS=10V,ID=1mA) 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.7 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):600 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):187 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):18 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,4A N-沟道增强型场效应晶体管
