供应 场效应管 Si7170DP-T1-GE3,Si7170DP,7176
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | Si7170DP-T1-GE3,QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0034Ω | |
| 品牌/商标： | VISHAY | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:Si7170DP-T1-GE3
特点
* 无卤素
* TrenchFET Power MOSFET
* 100%的Rg测试
* 1005的雪崩测试
应用
* 低端笔记本电脑
* VRM POL
封装:QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0034 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.6
功率PD(W):48
输入电容Ciss(PF):4355 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：90
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP95T07GP,95T07GP,AP95T07
信息内容：产品型号:AP95T07GP 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):300 输入电容Ciss(PF):4290 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：88 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450 导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ. 上升时间Tr(ns):160 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):38 typ. 下降时间Tf(ns):165 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 AP2761I-A,2761I,AP2761I
信息内容：产品型号:AP2761I-A 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):37 输入电容Ciss(PF):2770 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):65 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):82 typ. 下降时间Tf(ns):36 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
