供应 场效应管 SI7636DP-T1-E3,SI7636DP
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SI7636DP-T1-E3,QFN8 5*6,SMD/MOS,N场,30V,17A,0.004Ω | |
| 品牌/商标： | VISHAY | |
| 封装形式： | QFN8 5*6/PowerPAK SO-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:SI7636DP-T1-E3
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004
漏极电流Id(on)(A):17
功率PD(W):1.9
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):QFN8 5*6/PowerPAK SO-8/-55 ~150
描述:30V, 17A 功率MOSFET
特点
•无卤素根据IEC 61249-2-21可用的
•超低导通电阻采用高密度第二代TrenchFET功率MOSFET技术
•优化的Qg
•新的低热阻的PowerPAK®封装低1.07 mm外形
•100％的Rg测试
应用
•低端的DC / DC转换
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
•同步整流，POL
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 STP80NF55-08,80NF55-08
信息内容：产品型号:STP80NF55-08 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 漏极电流Id(on)(A):80 功率PD(W):300 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:55 V, 80A 功率MOSFET 应用 ■ 开关应用 描述 这是功率MOSFET的发展意法半导体独有的“单一的功能尺寸”带为基础的进程。由此产生的晶体管显示了极高的堆积密度低导通电阻，坚固耐用的雪崩特性，少批评对齐步骤因此，一个了不起的制造重复性 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP40T03GJ,AP40T03,40T03GJ
信息内容：产品型号:AP40T03GJ 特点 * 简单的驱动要求 * 低栅极电荷 * 快速切换 * 符合RoHS 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):28 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):31.25 输入电容Ciss(PF):655 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：20 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):62 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ. 下降时间Tf(ns):4.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
