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供应福斯特FIR8N80F,N-MOSFET,高压,电容话筒专用

价 格: 面议
型号/规格:FIR8N80F
品牌/商标:福斯特
封装形式:TO-220
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装
功率特征:中功率

  福斯特FIR8N80F规格:

  种类:绝缘栅(MOSFET)

  沟道类型:N沟道

  导电方式:增强型

  材料:N-FET硅N沟道

  封装外形:P-DIT/塑料双列直插

  用途:C-MIC/电容话筒专用

  开启电压:800(V)

  夹断电压:800(V)

  跨导:120(μS)

  极间电容:2(pF)

  低频噪声系数:20(dB)

  漏极电流:2(mA)

  场效应管基本特点

  场效应管属于电压控制元件,这一点类似于电子管的三极管,但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的,与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有如下特点:

  (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;

  (2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。

  (3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;

  (4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;

  (5)场效应管的抗辐射能力强;

  (6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。

 

  凌云国际股份有限公司成立于2000年,总部位於香港,是国际知名的电子元件独立分销商。公司在香港、深圳、北京、山东、苏州、杭州、南京、惠州、佛山、珠海、厦门、重庆等地设有客户服务办事处,专注於为世界500强等电子企业提供优势的电子元件代理分销服务,并成为全球众多知名客户的合作夥伴

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信息内容:

福斯特FIR10N80F规格:   种类:绝缘栅(MOSFET)   沟道类型:N沟道   导电方式:增强型   材料:N-FET硅N沟道   封装外形:P-DIT/塑料双列直插   用途:CHOP/斩波、限幅   开启电压:800(V)   夹断电压:800(V)   跨导:10(μS)   极间电容:10(pF)   低频噪声系数:1(dB)   场效应管主要作用   1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。   2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。   3.场效应管可以用作可变电阻。   4.场效应管可以方便地用作恒流源。   5.场效应管可以用作电子开关。   凌云国际股份有限公司代理分销的美国福斯特半导体(FIRST SEMICONDUCTOR),美国安森美半导体(ON SEMICONDUCTOR)等国际知名品牌,产品为二极管、三极管、晶体管,场效应管、肖特基、快恢复,可控跬,IGBT,整流器,集成电路等。应用领域涵盖消费类电子、电脑及周边、通讯、电信、工控、安防、电源、医疗设备及军工产品等等。凭借着公司十年来的不懈努力,年销售额不断突破,获得 ON Semiconductor...

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dzsc/18/4367/18436703.jpg   特性:   1) 无铅封装;   2) 2个独立的通道,具有1.5A推、拉电流电路输出;   3) lOOOpF负荷下,输出的上升和下降时间为15ns;   4) CMOS/LSTTL兼容输入具有迟滞;   5)欠电压锁定与迟滞;   6)低待机电流;   7)高效率高频操作;   8)具有普通开关稳压器控制芯片以提高系统性能。   9)典型的应用场合包括开关电源、直流到直流变换器、电容器充电泵倍压器/反相器,和马达控制器。 dzsc/18/4367/18436703.jpgdzsc/18/4367/18436703.jpg 凌云国际股份有限公司十余年一直保持着的行业质量标准,将是你的选择! 联系我们 联系人:黄培东 手机:13632857100 电话:86-0755-82884340 传真:86-0755-82884342   Email:hxd19871001@sina.com 地址:广东省深圳深圳市福田区佳和华强大厦A1709-1711 邮编:518033 公司网址:http://www.lanoshk.com

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