供应福斯特N-MOSFET，开关电源专用12A/600V，质量保证
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FIR12N60F | |
| 品牌/商标： | 福斯特 | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
福斯特FIR12N60F规格：
种类：绝缘栅（MOSFET）
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
材料：N-FET硅N沟道
封装外形：P-DIT/塑料双列直插
用途：D/变频换流
开启电压：600（V）
夹断电压：600（V）
跨导：6（μS）
极间电容：10（pF）
低频噪声系数：10（dB）
漏极电流：10（mA）
耗散功率：1（mW）
什么是场效应管
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管基本特点
场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID;
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
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供应福斯特FIR7N60F，性价比高N-MOSFET，长期代理
信息内容：福斯特FIR7N60F规格： 种类：绝缘栅（MOSFET） 沟道类型：N沟道 导电方式：耗尽型 材料：N-FET硅N沟道 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 用途：HI-REL/高可靠性 开启电压：600（V） 夹断电压：600（V） 跨导：1（μS） 极间电容：10（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：10（mA） 耗散功率：10（mW） 场效应管基本特点 场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID; （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 场效应管主要作用 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容...
供应福斯特FIR75N075，N-MOSFET电动机专用，长期代理
信息内容：福斯特FIR75N075规格： 种类：绝缘栅（MOSFET） 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 材料：N-FET硅N沟道 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 用途：D/变频换流 开启电压：75（V） 夹断电压：75（V） 跨导：75（μS） 极间电容：564（pF） 低频噪声系数：1（dB） 场效应管型号命名 有两种命名方法： 种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 场效应管基本特点 场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID; （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此...
