供应福斯特FIR75N075，N-MOSFET电动机专用，长期代理
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FIR75N075 | |
| 品牌/商标： | 福斯特 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
福斯特FIR75N075规格：
种类：绝缘栅（MOSFET）
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
材料：N-FET硅N沟道
封装外形：P-DIT/塑料双列直插
用途：D/变频换流
开启电压：75（V）
夹断电压：75（V）
跨导：75（μS）
极间电容：564（pF）
低频噪声系数：1（dB）
场效应管型号命名
有两种命名方法：
种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
场效应管基本特点
场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID;
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
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供应福斯特FIR8N80F，N-MOSFET，高压，电容话筒专用
信息内容：福斯特FIR8N80F规格： 种类：绝缘栅（MOSFET） 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 材料：N-FET硅N沟道 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 用途：C-MIC/电容话筒专用 开启电压：800（V） 夹断电压：800（V） 跨导：120（μS） 极间电容：2（pF） 低频噪声系数：20（dB） 漏极电流：2（mA） 场效应管基本特点 场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID; （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 凌云国际股份有限公司成立于2000年，总部位於香港，是国际知名的电子元件独立分销商。公司在香港、深圳、北京、山东、苏州、杭州、南京、惠州、佛山、...
供应福斯特FIR10N80F，高压高电流场效应管，欢迎来电
信息内容：福斯特FIR10N80F规格： 种类：绝缘栅（MOSFET） 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 材料：N-FET硅N沟道 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 用途：CHOP/斩波、限幅 开启电压：800（V） 夹断电压：800（V） 跨导：10（μS） 极间电容：10（pF） 低频噪声系数：1（dB） 场效应管主要作用 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。 4.场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应管可以用作电子开关。 凌云国际股份有限公司代理分销的美国福斯特半导体（FIRST SEMICONDUCTOR），美国安森美半导体（ON SEMICONDUCTOR）等国际知名品牌，产品为二极管、三极管、晶体管，场效应管、肖特基、快恢复，可控跬，IGBT,整流器，集成电路等。应用领域涵盖消费类电子、电脑及周边、通讯、电信、工控、安防、电源、医疗设备及军工产品等等。凭借着公司十年来的不懈努力，年销售额不断突破，获得 ON Semiconductor...
