供应 场效应管 AP40T03GJ,AP40T03,40T03GJ
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP40T03GJ,TO-251,DIP/MOS,N场,30V,28A,0.025Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 500/包 |
产品型号:AP40T03GJ
特点
* 简单的驱动要求
* 低栅极电荷
* 快速切换
* 符合RoHS
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):28
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):31.25
输入电容Ciss(PF):655 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：20
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250
导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.
上升时间Tr(ns):62 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.
下降时间Tf(ns):4.4 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP40T03GP,AP40T03,40T03GP
信息内容：产品型号:AP40T03GP 特点 * 简单的驱动要求 * 低栅极电荷 * 快速切换 * 符合RoHS 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):28 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):31.25 输入电容Ciss(PF):655 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：15 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):62 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ. 下降时间Tf(ns):4.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP20T03GH,AP20T03,20T03GH
信息内容：产品型号:AP20T03GH 特点 * 简单的驱动要求 * 更低的栅极电荷 * 快速开关特性 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):12.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):12.5 输入电容Ciss(PF):270 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):10 typ. 下降时间Tf(ns):3 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,12.5A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
