供应 场效应管 AP40T03GP,AP40T03,40T03GP
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP40T03GP,AP/富鼎,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,28A,0.025Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:AP40T03GP
特点
* 简单的驱动要求
* 低栅极电荷
* 快速切换
* 符合RoHS
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):28
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):31.25
输入电容Ciss(PF):655 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：15
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250
导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.
上升时间Tr(ns):62 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.
下降时间Tf(ns):4.4 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP20T03GH,AP20T03,20T03GH
信息内容：产品型号:AP20T03GH 特点 * 简单的驱动要求 * 更低的栅极电荷 * 快速开关特性 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):12.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):12.5 输入电容Ciss(PF):270 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):10 typ. 下降时间Tf(ns):3 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,12.5A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP9653GJ,AP9653,9653GJ
信息内容：深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon（英飞凌）, FAIRCHILD（仙童）, ST（意法半导体）, IR（美国国际整流器件）, VISHAY(威世), TOSHIBA（东芝）, FUJI（富士电机）等国际品牌，经营各种直插和贴片系列场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等元件，主要应用于太阳能、电动车控制器，LED照明电源、电源适配器、逆变器、节能灯镇流器等领域。 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。 产品型号:FQPF16N25C Features: • Low gate charge ( typical 41 nC) • Low Crss ( typical 68 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):15.6...
