供应 场效应管 AP9653GJ,AP9653,9653GJ
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP9653GJ | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 500/包 |
深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon（英飞凌）, FAIRCHILD（仙童）, ST（意法半导体）, IR（美国国际整流器件）, VISHAY(威世), TOSHIBA（东芝）, FUJI（富士电机）等国际品牌，经营各种直插和贴片系列场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等元件，主要应用于太阳能、电动车控制器，LED照明电源、电源适配器、逆变器、节能灯镇流器等领域。
金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
产品型号:FQPF16N25C
Features:
• Low gate charge ( typical 41 nC)
• Low Crss ( typical 68 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):15.6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.27 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):43
极间电容Ciss(PF):1080
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10.5
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:250V,15.6A N-Channel 功率MOSFET
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 P75N02LI,P0903BI,75N02
信息内容：产品型号:P0903BI 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0095 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):1200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：32 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):120 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ. 下降时间Tf(ns):105 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:25V,50A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP4435GJ,AP4435,4435GJ
信息内容：产品型号:AP4435GJ 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-3 功率PD(W):44.6 输入电容Ciss(PF):1160 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：31 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ. 上升时间Tr(ns):64 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ. 下降时间Tf(ns):94 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-30V,-40A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
