供应MOS管FDZ294N
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDZ294N | |
| 品牌/商标： | Fairchild | |
| 封装形式： | BGA | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | |
原装，真实有货，交货快，量大价优！
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 23 毫欧 @ 6A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
在 Vds 时的输入电容(Ciss)：670pF @ 10V
FET 型：N 沟道
FET 特点：逻辑电平门
功率 - ：1.7W
典型下降时间：6 ns
典型上升时间：5 ns
典型关闭延迟时间：14 ns
闸/源击穿电压：+ /- 12 V
工作温度：+ 150 C
最小工作温度：- 55 C
包装：3000PCS/盘
深圳市汇力胜科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王先生/廖小姐/詹先生/张先生/曾小姐
- 电话：0755-33273689/36938516
- 传真：0755-29052885
- 手机：
- QQ ：
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信息内容：原装，真实有货，交货快，量大价优！ 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 7.5 欧姆 @ 500mA, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 60V 闸电荷(Qg) @ Vgs - 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 115mA 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 50pF @ 25V FET 型 N 沟道 FET 特点 逻辑电平门 功率 - 225mW 安装类型 表面贴装 封装/外壳 SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 包装 带卷 3000PCS/盘
供应电源IC XC6206P252MR XC6206P252PR
信息内容：原装，真实有货，量大价优！
