供应 场效应管 AP4435GJ,AP4435,4435GJ
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP4435GJ,TO-251,DIP/MOS,P场,-30V,-40A,0.02Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
产品型号:AP4435GJ
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-3
功率PD(W):44.6
输入电容Ciss(PF):1160 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：31
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ.
上升时间Tr(ns):64 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.
下降时间Tf(ns):94 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:-30V,-40A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 2SK3562,K3562,2SK3567,K3567
信息内容：2SK3567,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,3.5A,2.2Ω 2SK3562,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω 产品型号:2SK3562 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):1050 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):345 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ. 下降时间Tf(ns):35 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,6A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 2SK3561,K3561,2SK3568,K3568
信息内容：2SK3568,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,12A,0.52Ω 2SK3561,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω 产品型号:2SK3561 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):1050 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):312 导通延迟时间Td(on)(ns):45 typ. 上升时间Tr(ns):26 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ. 下降时间Tf(ns):38 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
