供应 场效应管 2SK3561,K3561,2SK3568,K3568
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3561,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
2SK3568,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,12A,0.52Ω
2SK3561,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω
产品型号:2SK3561
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):1050 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：6.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):312
导通延迟时间Td(on)(ns):45 typ.
上升时间Tr(ns):26 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ.
下降时间Tf(ns):38 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP83T02GH-HF,AP83T02GH,83T02GH
信息内容：产品型号:AP83T02GH-HF 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):60 输入电容Ciss(PF):1115 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：55 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):84 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ. 下降时间Tf(ns):18 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP9T18GH,9T18GH,AP9T16GH,9T16GH
信息内容：产品型号:AP9T18GH 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±16 漏极电流Id(A):38 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.014 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):31.3 输入电容Ciss(PF):1115 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：33 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):80 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:20V,38A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
