供应 场效应管 AP83T02GH-HF,AP83T02GH,83T02GH
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP83T02GH-HF | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:AP83T02GH-HF
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):60
输入电容Ciss(PF):1115 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：55
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):84 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.
下降时间Tf(ns):18 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP9T18GH,9T18GH,AP9T16GH,9T16GH
信息内容：产品型号:AP9T18GH 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±16 漏极电流Id(A):38 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.014 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):31.3 输入电容Ciss(PF):1115 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：33 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):80 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:20V,38A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP9977GH,AP9977GH-HF,9977GH
信息内容：产品型号:AP9977GH-HF 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):11 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):21 输入电容Ciss(PF):485 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):11 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):14 typ. 下降时间Tf(ns):2 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,11A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
