供应福斯特MOSFET FIR5N60F，TO-220F封装，欢迎来电
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FIR5N60F | |
| 品牌/商标： | 福斯特 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
福斯特FIR5N60F规格：
种类：绝缘栅（MOSFET）
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
材料：GE-N-FET锗N沟道
封装外形：P-DIT/塑料双列直插
用途：HG/高跨导
开启电压：600（V）
夹断电压：600（V）
跨导：10（μS）
极间电容：100（pF）
低频噪声系数：10（dB）
漏极电流：10（mA）
耗散功率：100（mW）
场效应管基本特点
场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID;
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
凌云国际股份有限公司代理分销的美国福斯特半导体（FIRST SEMICONDUCTOR），美国安森美半导体（ON SEMICONDUCTOR）等国际知名品牌，产品为二极管、三极管、晶体管，场效应管、肖特基、快恢复，可控跬，IGBT,整流器，集成电路等。应用领域涵盖消费类电子、电脑及周边、通讯、电信、工控、安防、电源、医疗设备及军工产品等等。凭借着公司十年来的不懈努力，年销售额不断突破，获得 ON Semiconductor颁发的「分销商大奖」，备受赞誉，并成为美国福斯特半导体（FIRST SEMICONDUCTOR）在国内的代理商之一。
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供应福斯特高性能MOSFET FIR14N50F，500V N-MOSFET
信息内容：福斯特FIR14N50F规格： 种类：绝缘栅（MOSFET） 沟道类型：N沟道 导电方式：耗尽型 材料：N-FET硅N沟道 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 用途：D-G双栅四极 开启电压：500（V） 夹断电压：500（V） 跨导：510（μS） 极间电容：1（pF） 漏极电流：1（mA） 耗散功率：10（mW） 扬效应管主要参数 ●直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS. 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS. ●交流参数 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 ●极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS. 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 dzsc/18/4365/18436552.jpgdzsc/18/4365/18436552.jpg ...
供应福斯特N-MOSFET，开关电源专用12A/600V，质量保证
信息内容：福斯特FIR12N60F规格： 种类：绝缘栅（MOSFET） 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 材料：N-FET硅N沟道 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 用途：D/变频换流 开启电压：600（V） 夹断电压：600（V） 跨导：6（μS） 极间电容：10（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：10（mA） 耗散功率：1（mW） 什么是场效应管 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管基本特点 场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID; （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； ...
