供应 场效应管 STP80NF55-08,80NF55-08
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STP80NF55-08,TO-220,DIP/MOS,N场,55V,80A,0.008Ω | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP40T03GJ,AP40T03,40T03GJ
信息内容：产品型号:AP40T03GJ 特点 * 简单的驱动要求 * 低栅极电荷 * 快速切换 * 符合RoHS 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):28 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):31.25 输入电容Ciss(PF):655 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：20 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):62 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ. 下降时间Tf(ns):4.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP40T03GP,AP40T03,40T03GP
信息内容：产品型号:AP40T03GP 特点 * 简单的驱动要求 * 低栅极电荷 * 快速切换 * 符合RoHS 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):28 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):31.25 输入电容Ciss(PF):655 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：15 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):62 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ. 下降时间Tf(ns):4.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
