供应福斯特MOSFET FIR50N06，电动机专用场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FIR50N06 | |
| 品牌/商标： | 福斯特 | |
| 封装形式： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
福斯特FIR75N075规格：
种类：绝缘栅（MOSFET）
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
材料：N-FET硅N沟道
用途：D/变频换流
开启电压：75（V）
夹断电压：75（V）
跨导：75（μS）
极间电容：564（pF）
低频噪声系数：1（dB）
漏极电流：4521（mA）
耗散功率：765（mW）
各种常见的MOSFET技术
●双栅极MOSFET
双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency, RF）积体电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。
●空乏式MOSFET
一般而言，空乏式（depletion mode）MOSFET比前述的加强式（enhancement mode）MOSFET少见。空乏式MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度，使得这种MOSFET的栅极就算没有加电压，通道仍然存在。如果想要关闭通道，则必须在栅极施加负电压。空乏式MOSFET的应用是在"常关型"（normally-off）的开关，而相对的，加强式MOSFET则用在"常开型"（normally-on）的开关上。
●NMOS逻辑
同样驱动能力的NMOS通常比PMOS所占用的面积小，因此如果只在逻辑门的设计上使用NMOS的话也能缩小芯片面积。不过NMOS逻辑虽然占的面积小，却无法像CMOS逻辑一样做到不消耗静态功率，因此在1980年代中期后已经渐渐退出市场。
●功率MOSFET
功率晶体管单元的截面图。通常一个市售的功率晶体管都包含了数千个这样的单元。主条目：功率晶体管
功率MOSFET和前述的MOSFET元件在结构上就有着显着的差异。一般积体电路里的MOSFET都是平面式（planar）的结构，晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的结构，让元件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率MOSFET能耐受的电压是杂质掺杂浓度与n-type磊晶层（epitaxial layer）厚度的函数，而能通过的电流则和元件的通道宽度有关，通道越宽则能容纳越多电流。对于一个平面结构的MOSFET而言，能承受的电流以及崩溃电压的多寡都和其通道的长宽大小有关。对垂直结构的MOSFET来说，元件的面积和其能容纳的电流成大约成正比，磊晶层厚度则和其崩溃电压成正比。 值得一提的是采用平面式结构的功率MOSFET也并非不存在，这类元件主要用在的音响放大器中。平面式的功率MOSFET在饱和区的特性比垂直结构的对手更好。垂直式功率MOSFET则多半用来做开关切换之用，取其导通电阻（turn-on resistance）非常小的优点。
● DMOS
DMOS是双重扩散MOSFET（double-Diffused MOSFET）的缩写，它主要用于高压，属于高压MOS管范畴。
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供应福斯特MOSFET FIR5N60F，TO-220F封装，欢迎来电
信息内容：福斯特FIR5N60F规格： 种类：绝缘栅（MOSFET） 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 材料：GE-N-FET锗N沟道 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 用途：HG/高跨导 开启电压：600（V） 夹断电压：600（V） 跨导：10（μS） 极间电容：100（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：10（mA） 耗散功率：100（mW） 场效应管基本特点 场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID; （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 凌云国际股份有限公司代理分销的美国福斯特半导体（FIRST SEMICONDUCTOR），美国安森美半导体（ON SEMICONDUCTOR）等国际知名品...
供应福斯特高性能MOSFET FIR14N50F，500V N-MOSFET
信息内容：福斯特FIR14N50F规格： 种类：绝缘栅（MOSFET） 沟道类型：N沟道 导电方式：耗尽型 材料：N-FET硅N沟道 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 用途：D-G双栅四极 开启电压：500（V） 夹断电压：500（V） 跨导：510（μS） 极间电容：1（pF） 漏极电流：1（mA） 耗散功率：10（mW） 扬效应管主要参数 ●直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS. 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS. ●交流参数 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 ●极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS. 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 dzsc/18/4365/18436552.jpgdzsc/18/4365/18436552.jpg ...
