IRLML2502TR IRLML2502TRPBF IR 场效应管 20V 4.2A 进口全新
| 价 格： | 0.10 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | IRLML2502TR IRLML2502TRPBF | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 用途： | SYM/对称类 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
| （深圳科顺龙电子）产品详情： | INTERNATIONAL RECTIFIER - IRLML2502TRPBF - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4.2Adzsc/18/8756/18875675.jpgdzsc/18/8756/18875675.jpg 产品信息 彭志毫
公司信息未核实
公司相关产品
原装现货长期供应IR场效应管IRFP250NPBF IRFP250MPBF IRFP250N信息内容：标准包装325类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 18A, 10V漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs123nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2159pF @ 25V功率 - 214W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3 （直引线）, TO-247AC包装散装供应商设备封装TO-247AC科顺龙电子商行主要经销的产品有：场效应管，电源控制IC，IGBT，MCU单片机，LCD驱动IC等等。优势品牌热卖：IR（国际整流器），VISHAY（威世），ST（意法半导体），ON（安森美半导体）。 
IRF520PBF IRF520 - 场效应管 MOSFET N IR/VISHAY原装信息内容：dzsc/18/8759/18875954.jpg标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 5.5A, 10VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)360pF @ 25V功率 - 60W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件深圳科顺龙电子其它名称*IRF520PBFdzsc/18/8759/18875954.jpgVISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF520PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 100V 9.2A制造商:VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER库存编号:8648239制造商编号:IRF520PBF 晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:9.2A电压, Vds :100V在电阻RDS（上）:270mohm电?? @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:60W工作温度范围:-55°C 到 175°C封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:60W功耗:60W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:9.2A热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压... 相关产品 | ||
